碳化硅功率器件：特性、测试和应用技术
高远 陈桥梁
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高远 陈桥梁
本书介绍了碳化硅功率器件的基本原理、特性、测试方法及应用技术，概括了近年学术界和工业界的*新研究成果。本书共分为9章：功率半导体器件基础，SiC MOSFET参数的解读、测试及应用，双脉冲测试技术，SiC器件与Si器件特性对比，高di/dt的影响与应对——关断电压过冲，高dv/dt的影响与应对——crosstalk，高dv/dt的影响与应对——共模电流，共源极电感的影响与应对，以及驱动电路设计。
本书作者为碳化硅行业内资深专家，长期从事碳化硅器件的测试和表征工作，积累了丰富的经验，对碳化硅器件的原理和应用技术有着深刻的认识。经过数年的笔耕，这本书终于出现在读者面前。相信本书作者丰富的经验会为读者提供多方面的视角以及对碳化硅器件的测试应用提供深入的认知。
SIC功率器件目前为止还没有形成一个在市面上统一的参数标准，而且在市面上大多数功率半导体器件中还是以SI为主，凭借SIC对于SI器件的优越性能，以后SCI一定能够在市场中的运用越来越广泛
涉及面广、配有大量图表数据和精美图例，指导专业人士快速、全面了解碳化硅器件的原理、测试表征方法与实践应用技术。
本书详细介绍了碳化硅器件测试和应用的常见技术细节，是从业人员入门的必读书