中国芯片制造系列·第三代半导体技术与应用

主要聚焦于碳化硅的物理化学特性、薄膜生长的各类沉积、封装制备工艺及其被应用的半导器件，但都流于表面的概念性介绍，缺乏实际性的应对措施和方案，以及相关的数学模型。对于我这样的非专业人士而言也就仅做了解（若是完全不了解，那么还需要查阅相当多的背景知识），而对于从业人员来说又或许过于基础简陋了。 随着这几年的规模商业化，书中所焦虑的衬底缺陷已然得到进一步的解决措施，所期望的沟槽型MOSFET结构也同样得到了提升。 前段时间我国的氧化镓单晶尺寸也突破到了新高度，但是良品率依然不尽人意。照目前中美日的相关进度来看，距离第四代半导体中的氧化镓商业应用有望在2030年前得以实现。 尤其是氧化镓的超宽禁带、高击穿电场强、低损耗耐超高温压的特性，在军事有源相控阵雷达领域可对目前的其它雷达装备形成直接代差碾压（两个型号的六代机很可能已经装备上了）。 我国曾经让出国内芯片市场换取低附加值的封装劳动生产，如今看来却是弯道超车了，哪怕途中坎坷不断但好在都挺过来了。随着工业产业链的日趋完善，越来越明白工业制造水平和生产水平对于一个国家而言是缺一不可，坚持去美国化也不是说说而已，一味简化的后果是慢慢形成路径依赖受制于人，一旦给你断掉供应链就不知所措，就像今日的美国自诩世界警察，玩弄绑架世界金融渐渐抛却工业发展，等到我国发展起来之后还想制裁，却发现自己已是巧妇难为无米之炊。我们则正好相反，是真真正正从一穷二白的时期一路赶超齐头并进。然，切记勿忘其背后是几代夜以继日的技术人员前赴后继的默默付出。且无需谈论每人不同观念中，对于价值高低的判断与否，仅凭他们这种信念便足以令人尊敬。