乔骁骏 耿文平 丑修建 著
本书聚焦于铁电材料纳米尺度电畴调控及其温度敏感机理分析,将铁电薄膜生长优化与压电力显微镜纳米探针极化调控技术相结合,详细探讨了铁酸铋薄膜与铌酸锂单晶薄膜百纳米量级电畴反转调控规律,揭示了不同极化调控作用下铁电电畴动态机制,研究了不同极化取向之间的畴壁导电效应及温度敏感机理。 本书可以作为从事电子信息功能材料及器件研究,尤其是从事铁电材料研究人员的参考书,也可以作为高等学校、科研院所高年级本科生和研究生的教学、科研用书。