碳化硅功率器件：特性、測試和應用技術
高遠 陳橋樑
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高遠 陳橋樑
本書介紹了碳化硅功率器件的基本原理、特性、測試方法及應用技術，概括了近年學術界和工業界的*新研究成果。本書共分爲9章：功率半導體器件基礎，SiC MOSFET參數的解讀、測試及應用，雙脈衝測試技術，SiC器件與Si器件特性對比，高di/dt的影響與應對——關斷電壓過沖，高dv/dt的影響與應對——crosstalk，高dv/dt的影響與應對——共模電流，共源極電感的影響與應對，以及驅動電路設計。
本書作者爲碳化硅行業內資深專家，長期從事碳化硅器件的測試和表徵工作，積累了豐富的經驗，對碳化硅器件的原理和應用技術有着深刻的認識。經過數年的筆耕，這本書終於出現在讀者面前。相信本書作者豐富的經驗會爲讀者提供多方面的視角以及對碳化硅器件的測試應用提供深入的認知。
SIC功率器件目前爲止還沒有形成一個在市面上統一的參數標準，而且在市面上大多數功率半導體器件中還是以SI爲主，憑藉SIC對於SI器件的優越性能，以後SCI一定能夠在市場中的運用越來越廣泛
涉及面廣、配有大量圖表數據和精美圖例，指導專業人士快速、全面瞭解碳化硅器件的原理、測試表徵方法與實踐應用技術。
本書詳細介紹了碳化硅器件測試和應用的常見技術細節，是從業人員入門的必讀書