中國芯片製造系列·第三代半導體技術與應用

主要聚焦於碳化硅的物理化學特性、薄膜生長的各類沉積、封裝製備工藝及其被應用的半導器件，但都流於表面的概念性介紹，缺乏實際性的應對措施和方案，以及相關的數學模型。對於我這樣的非專業人士而言也就僅做了解（若是完全不瞭解，那麼還需要查閱相當多的背景知識），而對於從業人員來說又或許過於基礎簡陋了。 隨着這幾年的規模商業化，書中所焦慮的襯底缺陷已然得到進一步的解決措施，所期望的溝槽型MOSFET結構也同樣得到了提升。 前段時間我國的氧化鎵單晶尺寸也突破到了新高度，但是良品率依然不盡人意。照目前中美日的相關進度來看，距離第四代半導體中的氧化鎵商業應用有望在2030年前得以實現。 尤其是氧化鎵的超寬禁帶、高擊穿電場強、低損耗耐超高溫壓的特性，在軍事有源相控陣雷達領域可對目前的其它雷達裝備形成直接代差碾壓（兩個型號的六代機很可能已經裝備上了）。 我國曾經讓出國內芯片市場換取低附加值的封裝勞動生產，如今看來卻是彎道超車了，哪怕途中坎坷不斷但好在都挺過來了。隨着工業產業鏈的日趨完善，越來越明白工業製造水平和生產水平對於一個國家而言是缺一不可，堅持去美國化也不是說說而已，一味簡化的後果是慢慢形成路徑依賴受制於人，一旦給你斷掉供應鏈就不知所措，就像今日的美國自詡世界警察，玩弄綁架世界金融漸漸拋卻工業發展，等到我國發展起來之後還想制裁，卻發現自己已是巧婦難爲無米之炊。我們則正好相反，是真真正正從一窮二白的時期一路趕超齊頭並進。然，切記勿忘其背後是幾代夜以繼日的技術人員前赴後繼的默默付出。且無需談論每人不同觀念中，對於價值高低的判斷與否，僅憑他們這種信念便足以令人尊敬。